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鍍膜上下料設(shè)備
多年來(lái)，二所立足自主裝備，與產(chǎn)業(yè)融合，形成了具有特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統(tǒng)集成的能力。
關(guān)鍵詞：
- 產(chǎn)品描述
- 詳細(xì)參數(shù)
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用于光伏電池鍍膜工序。將經(jīng)過(guò)管式PECVD工藝處理后的石墨舟內(nèi)的硅片自動(dòng)化取出裝籃，并將沒(méi)經(jīng)過(guò)工藝處理的硅片自動(dòng)化裝入石墨舟。降低人工強(qiáng)度及碎片率，減少人工接觸硅片，有效提升成品率和轉(zhuǎn)換率。
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設(shè)備兼容：18X±0.5mm*18X±0.5mm至230±0.5mm*230±0.5mm；單晶硅片，方片/準(zhǔn)方片/矩形片；
基于硅片尺寸182*182至182*192單臺(tái)產(chǎn)能：≥8000 Pcs/H
基于硅片尺寸182*193至182*21X單臺(tái)產(chǎn)能:≥7800 Pcs/H
基于硅片尺寸2X0*2X0單臺(tái)產(chǎn)能:≥6800 Pcs/H
基于硅片尺寸182*182至182*192碎片率：≤0.02%（不含爐碎）；
基于硅片尺寸182*193至182*21X碎片率：≤0.03%（不含爐碎）；
基于硅片尺寸2X0*2X0碎片率：≤0.03%（不包含爐碎）。
自動(dòng)化導(dǎo)致的返工率要求:≤0.03%。
設(shè)備外形尺寸（長(zhǎng)*寬*高）：不超過(guò)12.8m*2.6m*3m。
機(jī)器人吸盤模組單片之間精度:0.001mm
整機(jī)精度：0.025mm
品質(zhì)要求：吸盤印、劃傷、崩邊、皮帶印、石墨舟擦傷、舟印、隱裂或因傳輸不穩(wěn)定造成的異常不良等不良片，單工序總不良率低于：≤0.03%
吸盤片材質(zhì)選用較輕的碳纖維，相對(duì)于鋁合金少1Kg，機(jī)器人運(yùn)行更快、更穩(wěn)；
吸附組通過(guò)激光測(cè)距傳感器檢測(cè)校準(zhǔn)，具有超高精度
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所成立于1962年，是我國(guó)以智能制造、微電子裝備及應(yīng)用、碳化硅裝備及應(yīng)用、新能源裝備及應(yīng)用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來(lái)，二所立足自主裝備，與產(chǎn)業(yè)融合，形成了具有特色的高端智能制造和工藝技術(shù)系統(tǒng)集成的能力。
二所是科技部“國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）”、科技部“國(guó)家科技合作基地”、工信部“智能制造試點(diǎn)示范”、國(guó)防科工局“軍用微組裝技術(shù)創(chuàng)新中心”、山西省“寬禁帶半導(dǎo)體制備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、山西省“微組裝工程技術(shù)研究中心”、山西省“微電子智能制造裝備創(chuàng)新中心”等的主建和依托單位。近年來(lái)，獲得國(guó)家、省部級(jí)獎(jiǎng)項(xiàng)11項(xiàng)。
站在新的歷史起點(diǎn)，二所將以人工智能和半導(dǎo)體技術(shù)為核心，強(qiáng)化以軍為本、以民為主的創(chuàng)新鏈和以裝備為本、以應(yīng)用為主的產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)施智能制造、微電子、SiC和新能源產(chǎn)業(yè)躍升計(jì)劃，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力，形成良好可持續(xù)的高質(zhì)量發(fā)展態(tài)勢(shì)。
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